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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IXFX100N25
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFX100N25-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 100A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
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12907923
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IXFX100N25 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
560W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS247™-3
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
IXFX100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IXFX100N25
HTML-Datenblatt
IXFX100N25-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFX140N30P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFX140N30P-DG
Einheitspreis
13.10
ERSATZART
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IRFP4868PBF
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