Hersteller Produktnummer:
IXFT58N20Q
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFT58N20Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
12821195
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXFT58N20Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-268AA
Paket / Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basis-Produktnummer
IXFT58
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
IXFT58N20Q-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTT82N25P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTT82N25P-DG
Einheitspreis
5.71
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXTN5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
IXFN52N90P
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXTH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
