Hersteller Produktnummer:
IXFR24N100
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFR24N100-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 22A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12820652
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IXFR24N100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
267 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
416W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFR24
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
Q1157068B
IXFR24N100-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFR32N100P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFR32N100P-DG
Einheitspreis
16.72
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