Hersteller Produktnummer:
IXFP4N85XM
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFP4N85XM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12819540
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Menge
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IXFP4N85XM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
850 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
247 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IXFP4N85
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK7A90E,S4X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
95
TEILNUMMER
TK7A90E,S4X-DG
Einheitspreis
0.63
ERSATZART
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