Hersteller Produktnummer:
IXFP22N60P3
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFP22N60P3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
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12821944
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IXFP22N60P3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar3™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXFP22
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK12E60W,S1VX
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
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50
TEILNUMMER
TK12E60W,S1VX-DG
Einheitspreis
1.42
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