Hersteller Produktnummer:
IXFN200N10P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFN200N10P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
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12821724
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EINREICHEN
IXFN200N10P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
680W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227B
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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