Hersteller Produktnummer:
IXFN120N65X2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFN120N65X2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
93 Stück Neu Original Auf Lager
12820518
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EINREICHEN
IXFN120N65X2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
108A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227B
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Andere Namen
632519
IXFN120N65X2X-DG
IXFN120N65X2X
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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