Hersteller Produktnummer:
IXFN120N20
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFN120N20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12819616
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IXFN120N20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227B
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Andere Namen
IXFN120N20-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFN210N20P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFN210N20P-DG
Einheitspreis
33.70
ERSATZART
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