Hersteller Produktnummer:
IXFM67N10
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFM67N10-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Inventar:
12820901
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXFM67N10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-204AE
Paket / Koffer
TO-204AE
Basis-Produktnummer
IXFM67
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
20
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN013-100PS,127
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
3262
TEILNUMMER
PSMN013-100PS,127-DG
Einheitspreis
0.99
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXFN60N80P
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
IXTA8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
IXFH42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD
