Hersteller Produktnummer:
IXFK32N80P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFK32N80P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
12821596
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IXFK32N80P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-264AA (IXFK)
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXFK32
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
APT38F80B2
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
37
TEILNUMMER
APT38F80B2-DG
Einheitspreis
13.93
ERSATZART
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