Hersteller Produktnummer:
IXFH58N20Q
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFH58N20Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
12821785
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IXFH58N20Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFH58
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
IXFH58N20Q-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFP260MPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8078
TEILNUMMER
IRFP260MPBF-DG
Einheitspreis
1.17
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0
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