Hersteller Produktnummer:
IXFH52N50P2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFH52N50P2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 52A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
12916315
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Menge
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IXFH52N50P2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, PolarP2™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFH52
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW26NM50
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
364
TEILNUMMER
STW26NM50-DG
Einheitspreis
6.36
ERSATZART
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