Hersteller Produktnummer:
IXFH26N100X
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFH26N100X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 26A (Tc) 860W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
12820393
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IXFH26N100X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Ultra X
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
860W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFH26
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STWA20N95K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
400
TEILNUMMER
STWA20N95K5-DG
Einheitspreis
3.72
ERSATZART
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