Hersteller Produktnummer:
IXFH18N100Q3
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFH18N100Q3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
12821289
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IXFH18N100Q3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Q3 Class
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4890 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFH18
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW12N120K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
8
TEILNUMMER
STW12N120K5-DG
Einheitspreis
5.41
ERSATZART
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