IXFH11N80
Hersteller Produktnummer:

IXFH11N80

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXFH11N80-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventar:

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IXFH11N80 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFH11

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXFH11N80
HTML-Datenblatt
IXFH11N80-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
IXFH11N80-NDR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SPW17N80C3FKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
452
TEILNUMMER
SPW17N80C3FKSA1-DG
Einheitspreis
2.35
ERSATZART
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IXFH14N80P
HERSTELLER
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cr
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