Hersteller Produktnummer:
IXFC80N10
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFC80N10-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventar:
12820642
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Menge
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IXFC80N10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS220™
Paket / Koffer
ISOPLUS220™
Basis-Produktnummer
IXFC80N10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP80N10T
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
10193
TEILNUMMER
IXTP80N10T-DG
Einheitspreis
1.42
ERSATZART
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