Hersteller Produktnummer:
IXFC16N50P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFC16N50P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventar:
12821490
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IXFC16N50P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™, PolarHT™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS220™
Paket / Koffer
ISOPLUS220™
Basis-Produktnummer
IXFC16N50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK11A50D(STA4,Q,M)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
TK11A50D(STA4,Q,M)-DG
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