IRFH8316TRPBF-IR
Hersteller Produktnummer:

IRFH8316TRPBF-IR

Product Overview

Hersteller:

International Rectifier

Teilenummer:

IRFH8316TRPBF-IR-DG

Beschreibung:

IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

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IRFH8316TRPBF-IR Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.95mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3610 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFH8316TRPBF-IR
HTML-Datenblatt
IRFH8316TRPBF-IR-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
866
Andere Namen
2156-IRFH8316TRPBF-IR
IFEIRFIRFH8316TRPBF

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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