IRF60DM206
Hersteller Produktnummer:

IRF60DM206

Product Overview

Hersteller:

International Rectifier

Teilenummer:

IRF60DM206-DG

Beschreibung:

IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME

Inventar:

51208 Stück Neu Original Auf Lager
12946577
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRF60DM206 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6530 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DirectFET™ Isometric ME
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric ME

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
208
Andere Namen
2156-IRF60DM206
INFIRFIRF60DM206

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
fairchild-semiconductor

FDMS7670

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDPF51N25YDTU

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP6N40C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6