Hersteller Produktnummer:
SPW32N50C3FKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPW32N50C3FKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 560 V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventar:
245 Stück Neu Original Auf Lager
12807479
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SPW32N50C3FKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
560 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 1.8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
284W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-1
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SPW32N50
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SPW32N50C3X
SPW32N50C3IN-DG
448-SPW32N50C3FKSA1
SPW32N50C3IN
SPW32N50C3FKSA1-DG
SP000014625
SPW32N50C3
SPW32N50C3-DG
SPW32N50C3XK
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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