Hersteller Produktnummer:
SPU08P06P
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPU08P06P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
13064271
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SPU08P06P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.83A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
SPU08P
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SP000012086
SPU08P06PXTIN-ND
SPU08P06PIN
SPU08P06PIN-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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