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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SPU02N60S5BKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPU02N60S5BKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Inventar:
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SPU02N60S5BKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3-21
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
SPU02N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SPU02N60S5BKMA1
HTML-Datenblatt
SPU02N60S5BKMA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-SPU02N60S5BKMA1
SP000012422
SPU02N60S5-DG
SPU02N60S5X
INFINFSPU02N60S5BKMA1
SPU02N60S5
SPU02N60S5IN-DG
SPU02N60S5XK
SPU02N60S5IN
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFUC20PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
7
TEILNUMMER
IRFUC20PBF-DG
Einheitspreis
0.60
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD3N62K3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3586
TEILNUMMER
STD3N62K3-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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