Hersteller Produktnummer:
SPP18P06PHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPP18P06PHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12807959
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Menge
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SPP18P06PHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
81.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SPP18P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SPP18P06PIN-NDR
SP000012300
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN-DG
SPP18P06PIN-DG
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PX
SPP18P06P
SPP18P06PIN
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPP18P06PHXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
711
TEILNUMMER
SPP18P06PHXKSA1-DG
Einheitspreis
0.59
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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