Hersteller Produktnummer:
SPP15P10PLHXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPP15P10PLHXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12807279
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SPP15P10PLHXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 11.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1.54mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SPP15P10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
448-SPP15P10PLHXKSA1
SPP15P10PLHXKSA1-DG
SPP15P10PL H
SPP15P10PLH
SP000683162
SPP15P10PL H-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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