Hersteller Produktnummer:
SPP15P10PGHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPP15P10PGHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12806747
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SPP15P10PGHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 10.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 1.54mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1280 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SPP15P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SPP15P10P G
SPP15P10P G-DG
SP000212313
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF9530PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
14857
TEILNUMMER
IRF9530PBF-DG
Einheitspreis
0.69
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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