Hersteller Produktnummer:
SPP04N80C3XK
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPP04N80C3XK-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12807670
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SPP04N80C3XK Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 240µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
570 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SPP04N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000013706
2156-SPP04N80C3XK
IFEINFSPP04N80C3XK
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPP04N80C3XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
590
TEILNUMMER
SPP04N80C3XKSA1-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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