Hersteller Produktnummer:
SPI07N65C3HKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPI07N65C3HKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12807065
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Menge
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SPI07N65C3HKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 350µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3-1
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
SPI07N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000014632
SPI07N65C3XK
SPI07N65C3IN
SPI07N65C3IN-DG
SPI07N65C3X
SPI07N65C3
SPI07N65C3-DG
SP000680982
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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