Hersteller Produktnummer:
SPD08P06PGBTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPD08P06PGBTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
9057 Stück Neu Original Auf Lager
12806775
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SPD08P06PGBTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.83A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6.2V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 10A, 6.2V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SPD08P06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SPD08P06PGBTMA1DKR
SPD08P06PGINCT
SPD08P06PGINDKRINACTIVE
SP000096087
SPD08P06PG
2156-SPD08P06PGBTMA1
SPD08P06PGBTMA1CT
SPD08P06PGINDKR
SPD08P06PGINTR-DG
INFINFSPD08P06PGBTMA1
SPD08P06P G
SPD08P06PGINCT-DG
SP000450534
SPD08P06PGINTR
SPD08P06PGXT
SPD08P06PGINDKR-DG
SPD08P06PGINTRINACTIVE
SPD08P06P G-DG
SPD08P06PGBTMA1TR
SPD08P06PGINCTINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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