Hersteller Produktnummer:
SPD02N80C3ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPD02N80C3ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
8940 Stück Neu Original Auf Lager
12815182
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SPD02N80C3ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 120µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SPD02N80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP001117754
SPD02N80C3ATMA1CT
SPD02N80C3ATMA1DKR
SPD02N80C3ATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF7854TRPBF
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
CSD16406Q3
MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
IRL3103D1
MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
