Hersteller Produktnummer:
SPB80P06P
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
SPB80P06P-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12807080
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Menge
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SPB80P06P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 5.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5033 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
340W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SPB80P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000012841
SPB80P06PT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPB80P06PGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
41
TEILNUMMER
SPB80P06PGATMA1-DG
Einheitspreis
1.96
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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