Hersteller Produktnummer:
ISZ0602NLSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
ISZ0602NLSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
Inventar:
9859 Stück Neu Original Auf Lager
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ISZ0602NLSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 64A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 29µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1860 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8-26
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
ISZ0602N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-ISZ0602NLSATMA1TR
SP005430392
448-ISZ0602NLSATMA1DKR
448-ISZ0602NLSATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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