Hersteller Produktnummer:
ISS55EP06LMXTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
ISS55EP06LMXTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 180mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
Inventar:
101600 Stück Neu Original Auf Lager
12806987
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ISS55EP06LMXTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5Ohm @ 180mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 11µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.59 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
18 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT23-3-5
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
ISS55EP06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
448-ISS55EP06LMXTSA1TR
2156-ISS55EP06LMXTSA1TR
ISS55EP06LMXTSA1-DG
448-ISS55EP06LMXTSA1DKR
448-ISS55EP06LMXTSA1CT
SP004987278
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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