ISP16DP10LMXTSA1
Hersteller Produktnummer:

ISP16DP10LMXTSA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

ISP16DP10LMXTSA1-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 2.1A (Ta), 3.9A (Tc) 1.8W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

Inventar:

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ISP16DP10LMXTSA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1.037mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2100 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
ISP16D

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-ISP16DP10LMXTSA1TR
448-ISP16DP10LMXTSA1CT
448-ISP16DP10LMXTSA1DKR
SP005343903

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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