Hersteller Produktnummer:
ISC104N12LM6ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
ISC104N12LM6ATMA1-DG
Beschreibung:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Inventar:
8897 Stück Neu Original Auf Lager
12992711
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ISC104N12LM6ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3.3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 35µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 94W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
ISC104
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-ISC104N12LM6ATMA1TR
448-ISC104N12LM6ATMA1CT
448-ISC104N12LM6ATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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