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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRLU7807ZPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLU7807ZPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 43A (Tc) 40W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12807176
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IRLU7807ZPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
780 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRLU7807ZPBF
HTML-Datenblatt
IRLU7807ZPBF-DG
Design-Ressourcen
IRLR7807ZPBF Saber Model
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
*IRLU7807ZPBF
SP001568878
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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