Hersteller Produktnummer:
IRLU3410PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLU3410PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventar:
5087 Stück Neu Original Auf Lager
12812955
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRLU3410PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK (TO-251AA)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IRLU3410
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
*IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-DG
SP001574164
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPB060N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
IPA80R900P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
IRF7422D2TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
