Hersteller Produktnummer:
IRLU120NPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLU120NPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventar:
9600 Stück Neu Original Auf Lager
12808402
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IRLU120NPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK (TO-251AA)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IRLU120
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
SP001567330
*IRLU120NPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STU6NF10
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
STU6NF10-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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