Hersteller Produktnummer:
IRLS3813PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLS3813PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12805917
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IRLS3813PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 148A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8020 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
195W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001576946
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB270N4F3
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3013
TEILNUMMER
STB270N4F3-DG
Einheitspreis
2.04
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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