Hersteller Produktnummer:
IRLML2060TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLML2060TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 1.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Inventar:
20913 Stück Neu Original Auf Lager
13064291
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IRLML2060TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.67 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
64 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro3™/SOT-23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
IRLML2060
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
IRLML2060TRPBFCT
IRLML2060TRPBFDKR
2156-IRLML2060TRPBF
SP001578644
IRLML2060TRPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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