Hersteller Produktnummer:
IRLL2705TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLL2705TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventar:
29143 Stück Neu Original Auf Lager
12806584
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IRLL2705TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
IRLL2705
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP001558266
*IRLL2705TRPBF
IRLL2705PBFCT
2156-IRLL2705TRPBF
IRLL2705PBFDKR
IRLL2705PBFTR
INFINFIRLL2705TRPBF
2832-IRLL2705TRPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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