Hersteller Produktnummer:
IRLIB4343
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLIB4343-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventar:
12805214
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Menge
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IRLIB4343 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
740 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB Full-Pak
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRLIB4343
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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