Hersteller Produktnummer:
IRLHM630TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLHM630TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Inventar:
13294 Stück Neu Original Auf Lager
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IRLHM630TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3170 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PQFN (3x3)
Paket / Koffer
8-VQFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
IRLHM630
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRLHM630TRPBFTR
IRLHM630TRPBF-DG
IRLHM630TRPBFCT
SP001568974
IRLHM630TRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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