Hersteller Produktnummer:
IRLB3036PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLB3036PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
21252 Stück Neu Original Auf Lager
12806863
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IRLB3036PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 165A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11210 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
380W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRLB3036
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001568396
64-0100PBF
64-0100PBF-DG
IRLB3036PBF-DG
448-IRLB3036PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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