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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRL7833PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRL7833PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
518 Stück Neu Original Auf Lager
12807144
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IRL7833PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4170 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRL7833
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRL7833PBF
HTML-Datenblatt
IRL7833PBF-DG
Design-Ressourcen
IRL7833LPBF Saber Model
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
INFINFIRL7833PBF
*IRL7833PBF
2156-IRL7833PBF
SP001550382
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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