Hersteller Produktnummer:
IRL2910STRLPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRL2910STRLPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
8266 Stück Neu Original Auf Lager
12807376
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IRL2910STRLPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRL2910
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
IRL2910STRLPBFCT
IRL2910STRLPBF-DG
IRL2910STRLPBFDKR
SP001571800
IRL2910STRLPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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