Hersteller Produktnummer:
IRL1004L
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRL1004L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 130A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 130A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12806421
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Menge
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IRL1004L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 78A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5330 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRL1004L
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BUK7E8R3-40E,127
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
1749
TEILNUMMER
BUK7E8R3-40E,127-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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