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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRFU3607PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFU3607PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventar:
743 Stück Neu Original Auf Lager
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IRFU3607PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3070 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK (TO-251AA)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IRFU3607
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRFU3607PBF
HTML-Datenblatt
IRFU3607PBF-DG
Design-Ressourcen
IRFR3607PBF Saber Model
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
64-4147PBF
64-4147PBF-DG
SP001557738
IFEINFIRFU3607PBF
2156-IRFU3607PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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