Hersteller Produktnummer:
IRFU220N
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFU220N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventar:
12806068
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFU220N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
43W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK (TO-251AA)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
SP001568188
*IRFU220N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFU220NPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2099
TEILNUMMER
IRFU220NPBF-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRL520NSPBF
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
IPL60R125C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
IPP120N06S403AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
