Hersteller Produktnummer:
IRFSL7440PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFSL7440PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 40V 120A TO-262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
12818657
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IRFSL7440PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4730 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRFSL7440
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001573650
IRFSL7440PBF-DG
448-IRFSL7440PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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