Hersteller Produktnummer:
IRFSL38N20DPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFSL38N20DPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 43A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 43A (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12804000
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFSL38N20DPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IFEINFIRFSL38N20DPBF
SP001557568
2156-IRFSL38N20DPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFSL4127PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1919
TEILNUMMER
IRFSL4127PBF-DG
Einheitspreis
2.75
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPI65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
IRF9Z34NSTRR
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IRF1405LPBF
MOSFET N-CH 55V 131A TO262
